860nm 1W IR Láser semiconductor CW or Modulation
[Especificaciones]
nombre del producto: 860nm 1W IR Láser semiconductor
Tiempo de espera: 1~3 weeks, Custom product available!
Longitud de onda de salida: 860(+/-5) nm
Potencia de salida: 1000mW
Operating Mode: CW or Modulation
Polarization: 10:01
Pointing Stability: <0.05 mrad
Beam Diameter: Near 6mm
Beam Divergence Angle: <2.5 mrad
Power Stability: <±3% per 2 hrs
Beam Height: Near 25mm
Estabilizador de temperatura: TEC
Tiempo de calentamiento: <5 minutes
Beam Quality(M2): <20
Optimum Operating Temperature: 20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm3 (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Standard Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30KHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year
[Package include]
1 x 860nm IR Laser
1 x Laser power supply