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785nm 1W Near IR laser high power Invisible Láser semiconductor

785nm Láser semiconductor

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785nm 1W Near IR laser high power Invisible Láser semiconductor

[Especificaciones]
nombre del producto: IR Láser semiconductor
Tiempo de espera: 1~3 weeks, Custom product available!
Longitud de onda de salida: 785±5nm
Potencia de salida: 1W
Spatial Mode: Multimode
Operating Mode: CW or Modulation
Pointing Stability: <0.05 mrad
Beam Diameter: Near 5mm
Beam Divergence Angle: near 1.5mrad
Power Stability: <±3% per 2 hrs
Bean Height: Near 25mm
Estabilizador de temperatura: TEC
Tiempo de calentamiento: <5 minutes
Beam Quality(M2): <2
Optimum Operating Temperature: 20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Standard Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30KHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year

[Package include]
1 x 785nm Laser Head
1 x Laser power supply

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