860nm 2000mW IR Láser semiconductor with Power Supply TTL Modulación

860nm 2000mW IR Láser semiconductor with Power Supply TTL Modulation

 

nombre del producto: 860nm 2000mw IR Láser semiconductor

Tiempo de espera: 1~3 weeks! Custom product available!

Longitud de onda de salida: 860(+/-5) nm

Potencia de salida: 2000mW
Spatial Mode: Multi-mode

Operating Mode: CW or Modulation

Polarization: 10:01

Pointing Stability: <0.05 mrad

Beam Diameter: Near 6mm

Beam Divergence Angle:  2.5 mrad

Power Stability: <±3% per 2 hrs

Beam Height: Near 25mm

Estabilizador de temperatura: TEC

Tiempo de calentamiento: <5 minutes

Beam quality(M2): <20

Optimum Operating Temperature: 20~30℃

Storage Temperature: 10~50℃

MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs

Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm3 (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Standard Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30KHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year

 

1 x 860nm/2000mW IR  Laser head

1 x Laser power supply