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0.2nm Narrow Linewidth 785nm 1000mW NLáser de diodo IR for Raman

785nm Láser semiconductor

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0.2nm Narrow Linewidth 785nm 1000mW NLáser de diodo IR for Raman

[Tiempo de espera]
785nm 1000mW Raman Laser: 3~4 weeks

[Features]
1. Spectral linewidth: <0.2nm
2. High power stability: <3%

[Application]
2. Raman spectroscopy
2. Sensing

[Especificaciones]
nombre del producto: 785nm Narrow Linewidth Laser
Longitud de onda: 785nm
Potencia de salida: 1000mW
Spectral Linewidth：<0.2nm
Beam Tamaño: Near 1*5 mm
Beam Divergence Angle: Near 10mrad
Operating Temperature: 0°C-40°C
Storage Temperature: -40°C-85°C

Parameter	Work condition	Symbol	Min.	Typical Value	Max.	Unit
Output Power	APC mode	PO			1000	mW
Beam Diameter	Po , 1/e2	DiaV		5		mm
Beam Diameter	Po , 1/e2	DiaH		1		mm
Power Stability	2hrs	Ps			3	%
Spectral Linewidth	FWHM	PO			0.2	nm
Spectral Stability	λs	PO		0.01		nm/°C
Central Wavelength	@PO	λc	784	785	796	nm
Service Life	@PO	MTBF	10000			Hrs

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