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Inicio :: Láser semiconductor :: 405nm Láser semiconductor :: 405nm 800mW Láser semiconductor Diode Fuente láser

405nm 800mW Láser semiconductor Diode Fuente láser

405nm Láser semiconductor

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405nm 800mW Láser semiconductor Diode Fuente láser

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405nm 800mW Láser semiconductor Diode Fuente láser

[Features]
1. High power stability(<3%)
2. Small volume, easy to install.

[Especificaciones]
nombre del producto: 405nm Láser semiconductor
Tiempo de espera: 1~3 weeks!
Longitud de onda: 405±5 nm
Potencia de salida: 800mW
Spectral Linewidth：<2nm
Beam Tamaño: Near 1*4mm
Beam Divergence Angle: <5 mrad
Operating Temperature: 0°C-40°C
Storage Temperature: -40°C-85°C
Estabilizador de temperatura: TEC
Tiempo de calentamiento: <5 minutes
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Dimension: Near 140(L)x49(W)x42(H)mm
Fuente de alimentación: Adjustable Power Supply
Modulación: 0~10KHz TTL
Garantía: 1 Year

[Packing List]
1 x Laser Head
1 x Power supply
1 x Test data report
1 x Operation manual

diode laser source

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