QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW Inrared Diodo láser For Sensor láser

QSI QL80S4HD-Y 808nm 500mW Inrared Diodo láser For Sensor láser

[Specification]
nombre del producto: Diodo láser
Model: QL80S4HD-Y
Longitud de onda: 808nm
Potencia de salida: 500mW
Diodo láser Reverse Voltage: 2V
Photo Diode Reverse Voltage: 30V
Threshold Current: 100mA
Operating Current: 550mA
Tensión de funcionamiento: 2.2V
Operating Temperature: -10~+40℃
Storage Temperature: -40~+85℃
Package: TO18 (Φ5.6mm)