1270nm 10000mW Alto Voltaje Láser semiconductor System CW/TTL Modulación

1270nm 10000mW Alto Voltaje Láser semiconductor System CW/TTL Modulation

[Especificaciones]
nombre del producto: 1270nm IR Láser semiconductor
Longitud de onda de salida: 1270±20nm
Potencia de salida: 10W
Spatial Mode: Multimode
Operation Mode: CW or Modulation
Pointing Stability: <0.05 mrad
Beam Tamaño: near 5mm
Beam Divergence Full Angle: 4 mrad
Power Stability: <±3% per 2 hrs
Beam Height:  near 34 mm
Estabilizador de temperatura: TEC 
Tiempo de calentamiento: <5 minutes 
Beam Quality(M2): <2
Optimum Operating Temperature: 20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 211(L)x151(W)x50.5(H) mm (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Fuente de alimentación dividida / Fuente de alimentación ajustable de laboratorio (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Split Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Laser Radiator/Heat Sink: Not Include/Include (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30KHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year

[El paquete incluye]
1 x 1270nm Laser head
1 x Power supply