830nm 1W IR Laser Láser semiconductor With Power Supply
[Especificaciones]
nombre del producto: 830nm IR Láser semiconductor
Longitud de onda de salida: 830nm± 5 nm
Potencia de salida: 1000mW
Spatial Mode: Multimode
Operating Mode: CW or Modulation
Polarization: 10:01
Directional Stability: <0.05 mrad
Bean Tamaño: Near 6mm
Beam Divergence Full Angle: 2.5 mrad
Power Stability: <3% per 2 hrs
Beam Height: Near 25mm
Estabilizador de temperatura: TEC
Tiempo de calentamiento: <5 minutes
Beam Quality (M2): <20
The best working temperature:20~30℃
Storage Temperature: 10~50℃
MTTF(mean time to failure): 10,000 hrs
Laser Head dimension: Near 100(L)x40(W)x50(H) mm3 (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Standard Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30KHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year
[Packing List]
1 x 830nm laser
1 x Power supply
Note:
This laser can be customized with fiber coupled laser. Please contact us if needed.