1605nm 1000mW Infrarrojo Diode Laser Alto Voltaje Láser semiconductor

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1605nm 1000mW Infrarrojo Diode Laser Alto Voltaje Láser semiconductor

[Especificaciones]
nombre del producto: 1605nm Láser semiconductor
Tiempo de espera: 1~3 weeks, Custom product available!
Longitud de onda de salida: 1605±20 nm
Potencia de salida: 1000mW
Spatial Mode: Multi-mode
Operating Mode: CW or Modulation
Beam Height: Near 25mm
Power Stability: <3% per 4 hrs
Temperature Stability: TEC
Tiempo de calentamiento: <1 minute
MTTF: 10,000 hrs
Dimensión del cabezal láser: Near 100(L)x40(W)x50(H)mm3 (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación: Standard type power supply / Lab Adjustable power supply (Escoger)
Fuente de alimentación 1:Standard Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Fuente de alimentación 2: Lab Adjustable Power Supply (Escoger) (Haga clic aquí para encontrar detalles)
Modulación: 0~30kHz Analog or TTL
Garantía: 1 Year

 

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